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原子沉積系統(tǒng)在各個(gè)行業(yè)的具體應(yīng)用

更新時(shí)間:2021-03-22      點(diǎn)擊次數(shù):1290
  原子沉積系統(tǒng)的原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型(厚度、成份和結(jié)構(gòu))
 
  原子沉積系統(tǒng),一開始稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),也稱為原子層化學(xué)氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)器中的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體物種,化學(xué)吸附的過程直至表面飽和時(shí)就自動終止,適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。
 
  可以沉積的材料包括:氧化物,氮化物,氟化物,金屬,碳化物,復(fù)合結(jié)構(gòu),硫化物,納米薄層等。
 
  半導(dǎo)體領(lǐng)域:
 
  晶體管柵極電介質(zhì)層(高k材料),光電元件的涂層,晶體管中的擴(kuò)散勢壘層和互聯(lián)勢壘層(阻止摻雜劑的遷移),有機(jī)發(fā)光顯示器的反濕涂層和薄膜電致發(fā)光(TFEL)元件,集成電路中的互連種子層,DRAM和MRAM中的電介質(zhì)層,集成電路中嵌入電容器的電介質(zhì)層,電磁記錄頭的涂層,集成電路中金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容器涂層。
 
  納米技術(shù)領(lǐng)域:
 
  中空納米管,隧道勢壘層,光電電池性能的提高,納米孔道尺寸的控制,高高寬比納米圖形,微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的反靜態(tài)阻力涂層和疏水涂層的種子層,納米晶體,ZnSe涂層,納米結(jié)構(gòu),中空納米碗,存儲硅量子點(diǎn)涂層,納米顆粒的涂層,納米孔內(nèi)部的涂層,納米線的涂層。
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